HiperPFS-3
具備針對整個負載範圍內高功率因數(PF)和高效率最佳化之整合式高電壓MOSFET和Qspeed二極體的PFC控制器
應用
產品
|
產品
|
產品規格型錄
|
輸出功率 (最大) - 連續性, 通用
|
輸出功率 (最大) - 峰值, 通用
|
輸出功率(最大)-連續性,230v
|
輸出功率(最大)-峰值,230v
|
ic封裝
|
輸入電壓 (最小)
|
輸入電壓 (最大)
|
拓撲結構
|
保護功能
|
擊穿電壓
|
啟動電壓
|
電源電壓(Vcc/Vdd)
|
過熱反應
|
安裝類型
|
產品類別
|
運作溫度 (最大)
|
運作溫度 (最小)
|
自動重啟和過壓反應
|
輸出配置
|
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数据表
檢視PDF
|
输出功率(最大)-连续,大学
110 W
|
输出功率(最大)-峰值,大学
120 W
|
|
|
集成电路方案
eSIP-16D
|
电压-输入(Min)
90 V
|
电压-输入(最大)
264 V
|
拓扑结构
提高PFC
|
保护功能
输出欠压、过温、输入过压、输入欠压、输出过压、输出短路、输出过载
|
击穿电压
530 V
|
电压-启动
0.74 v
|
电压-电源(Vcc/Vdd)
12 v
|
超高温反应
滞后
|
越来越多的类型
通孔
|
产品类型
集成电路
|
温度-工作(最高)
150°C
|
温度-工作(最小)
-40°C
|
自动重启和过压响应
滞后
|
输出配置文件
CC
|
||
数据表
檢視PDF
|
输出功率(最大)-连续,大学
110 W
|
输出功率(最大)-峰值,大学
120 W
|
|
|
集成电路方案
eSIP-16G
|
电压-输入(Min)
90 V
|
电压-输入(最大)
264 V
|
拓扑结构
提高PFC
|
保护功能
输出欠压、过温、输入过压、输入欠压、输出过压、输出短路、输出过载
|
击穿电压
530 V
|
电压-启动
0.74 v
|
电压-电源(Vcc/Vdd)
12 v
|
超高温反应
滞后
|
越来越多的类型
通孔
|
产品类型
集成电路
|
温度-工作(最高)
150°C
|
温度-工作(最小)
-40°C
|
自动重启和过压响应
滞后
|
输出配置文件
CC
|
||
数据表
檢視PDF
|
输出功率(最大)-连续,大学
130 W
|
输出功率(最大)-峰值,大学
150 W
|
|
|
集成电路方案
eSIP-16D
|
电压-输入(Min)
90 V
|
电压-输入(最大)
264 V
|
拓扑结构
提高PFC
|
保护功能
输出欠压、过温、输入过压、输入欠压、输出过压、输出短路、输出过载
|
击穿电压
530 V
|
电压-启动
0.74 v
|
电压-电源(Vcc/Vdd)
12 v
|
超高温反应
滞后
|
越来越多的类型
通孔
|
产品类型
集成电路
|
温度-工作(最高)
150°C
|
温度-工作(最小)
-40°C
|
自动重启和过压响应
滞后
|
输出配置文件
CC
|
||
数据表
檢視PDF
|
输出功率(最大)-连续,大学
130 W
|
输出功率(最大)-峰值,大学
150 W
|
|
|
集成电路方案
eSIP-16G
|
电压-输入(Min)
90 V
|
电压-输入(最大)
264 V
|
拓扑结构
提高PFC
|
保护功能
输出欠压、过温、输入过压、输入欠压、输出过压、输出短路、输出过载
|
击穿电压
530 V
|
电压-启动
0.74 v
|
电压-电源(Vcc/Vdd)
12 v
|
超高温反应
滞后
|
越来越多的类型
通孔
|
产品类型
集成电路
|
温度-工作(最高)
150°C
|
温度-工作(最小)
-40°C
|
自动重启和过压响应
滞后
|
输出配置文件
CC
|
||
数据表
檢視PDF
|
输出功率(最大)-连续,大学
185 W
|
输出功率(最大)-峰值,大学
205 W
|
|
|
集成电路方案
eSIP-16D
|
电压-输入(Min)
90 V
|
电压-输入(最大)
264 V
|
拓扑结构
提高PFC
|
保护功能
输出欠压、过温、输入过压、输入欠压、输出过压、输出短路、输出过载
|
击穿电压
530 V
|
电压-启动
0.74 v
|
电压-电源(Vcc/Vdd)
12 v
|
超高温反应
滞后
|
越来越多的类型
通孔
|
产品类型
集成电路
|
温度-工作(最高)
150°C
|
温度-工作(最小)
-40°C
|
自动重启和过压响应
滞后
|
输出配置文件
CC
|
||
数据表
檢視PDF
|
输出功率(最大)-连续,大学
185 W
|
输出功率(最大)-峰值,大学
205 W
|
|
|
集成电路方案
eSIP-16G
|
电压-输入(Min)
90 V
|
电压-输入(最大)
264 V
|
拓扑结构
提高PFC
|
保护功能
输出欠压、过温、输入过压、输入欠压、输出过压、输出短路、输出过载
|
击穿电压
530 V
|
电压-启动
0.74 v
|
电压-电源(Vcc/Vdd)
12 v
|
超高温反应
滞后
|
越来越多的类型
通孔
|
产品类型
集成电路
|
温度-工作(最高)
150°C
|
温度-工作(最小)
-40°C
|
自动重启和过压响应
滞后
|
输出配置文件
CC
|
||
数据表
檢視PDF
|
输出功率(最大)-连续,大学
230 W
|
输出功率(最大)-峰值,大学
260 W
|
|
|
集成电路方案
eSIP-16D
|
电压-输入(Min)
90 V
|
电压-输入(最大)
264 V
|
拓扑结构
提高PFC
|
保护功能
输出欠压、过温、输入过压、输入欠压、输出过压、输出短路、输出过载
|
击穿电压
530 V
|
电压-启动
0.74 v
|
电压-电源(Vcc/Vdd)
12 v
|
超高温反应
滞后
|
越来越多的类型
通孔
|
产品类型
集成电路
|
温度-工作(最高)
150°C
|
温度-工作(最小)
-40°C
|
自动重启和过压响应
滞后
|
输出配置文件
CC
|
||
数据表
檢視PDF
|
输出功率(最大)-连续,大学
290 W
|
输出功率(最大)-峰值,大学
320 W
|
|
|
集成电路方案
eSIP-16D
|
电压-输入(Min)
90 V
|
电压-输入(最大)
264 V
|
拓扑结构
提高PFC
|
保护功能
输出欠压、过温、输入过压、输入欠压、输出过压、输出短路、输出过载
|
击穿电压
530 V
|
电压-启动
0.74 v
|
电压-电源(Vcc/Vdd)
12 v
|
超高温反应
滞后
|
越来越多的类型
通孔
|
产品类型
集成电路
|
温度-工作(最高)
150°C
|
温度-工作(最小)
-40°C
|
自动重启和过压响应
滞后
|
输出配置文件
CC
|
||
数据表
檢視PDF
|
输出功率(最大)-连续,大学
350 W
|
输出功率(最大)-峰值,大学
385 W
|
|
|
集成电路方案
eSIP-16D
|
电压-输入(Min)
90 V
|
电压-输入(最大)
264 V
|
拓扑结构
提高PFC
|
保护功能
输出欠压、过温、输入过压、输入欠压、输出过压、输出短路、输出过载
|
击穿电压
530 V
|
电压-启动
0.74 v
|
电压-电源(Vcc/Vdd)
12 v
|
超高温反应
滞后
|
越来越多的类型
通孔
|
产品类型
集成电路
|
温度-工作(最高)
150°C
|
温度-工作(最小)
-40°C
|
自动重启和过压响应
滞后
|
输出配置文件
CC
|
||
数据表
檢視PDF
|
输出功率(最大)-连续,大学
405 W
|
输出功率(最大)-峰值,大学
450 W
|
|
|
集成电路方案
eSIP-16D
|
电压-输入(Min)
90 V
|
电压-输入(最大)
264 V
|
拓扑结构
提高PFC
|
保护功能
输出欠压、过温、输入过压、输入欠压、输出过压、输出短路、输出过载
|
击穿电压
530 V
|
电压-启动
0.74 v
|
电压-电源(Vcc/Vdd)
12 v
|
超高温反应
滞后
|
越来越多的类型
通孔
|
产品类型
集成电路
|
温度-工作(最高)
150°C
|
温度-工作(最小)
-40°C
|
自动重启和过压响应
滞后
|
输出配置文件
CC
|
||
数据表
檢視PDF
|
|
|
输出功率(最大)-连续,230V
255 W
|
输出功率(最大)-峰值,230V
280 w
|
集成电路方案
eSIP-16D
|
电压-输入(Min)
180 V
|
电压-输入(最大)
264 V
|
拓扑结构
提高PFC
|
保护功能
输出欠压、过温、输入过压、输入欠压、输出过压、输出短路、输出过载
|
击穿电压
530 V
|
电压-启动
1.57 v
|
电压-电源(Vcc/Vdd)
12 v
|
超高温反应
滞后
|
越来越多的类型
通孔
|
产品类型
集成电路
|
温度-工作(最高)
150°C
|
温度-工作(最小)
-40°C
|
自动重启和过压响应
滞后
|
输出配置文件
CC
|
||
数据表
檢視PDF
|
|
|
输出功率(最大)-连续,230V
315 W
|
输出功率(最大)-峰值,230V
350 w
|
集成电路方案
eSIP-16D
|
电压-输入(Min)
180 V
|
电压-输入(最大)
264 V
|
拓扑结构
提高PFC
|
保护功能
输出欠压、过温、输入过压、输入欠压、输出过压、输出短路、输出过载
|
击穿电压
530 V
|
电压-启动
1.57 v
|
电压-电源(Vcc/Vdd)
12 v
|
超高温反应
滞后
|
越来越多的类型
通孔
|
产品类型
集成电路
|
温度-工作(最高)
150°C
|
温度-工作(最小)
-40°C
|
自动重启和过压响应
滞后
|
输出配置文件
CC
|
||
数据表
檢視PDF
|
|
|
输出功率(最大)-连续,230V
435 W
|
输出功率(最大)-峰值,230V
480 w
|
集成电路方案
eSIP-16D
|
电压-输入(Min)
180 V
|
电压-输入(最大)
264 V
|
拓扑结构
提高PFC
|
保护功能
输出欠压、过温、输入过压、输入欠压、输出过压、输出短路、输出过载
|
击穿电压
530 V
|
电压-启动
1.57 v
|
电压-电源(Vcc/Vdd)
12 v
|
超高温反应
滞后
|
越来越多的类型
通孔
|
产品类型
集成电路
|
温度-工作(最高)
150°C
|
温度-工作(最小)
-40°C
|
自动重启和过压响应
滞后
|
输出配置文件
CC
|
||
数据表
檢視PDF
|
|
|
输出功率(最大)-连续,230V
550 W
|
输出功率(最大)-峰值,230V
610 w
|
集成电路方案
eSIP-16D
|
电压-输入(Min)
180 V
|
电压-输入(最大)
264 V
|
拓扑结构
提高PFC
|
保护功能
输出欠压、过温、输入过压、输入欠压、输出过压、输出短路、输出过载
|
击穿电压
530 V
|
电压-启动
1.57 v
|
电压-电源(Vcc/Vdd)
12 v
|
超高温反应
滞后
|
越来越多的类型
通孔
|
产品类型
集成电路
|
温度-工作(最高)
150°C
|
温度-工作(最小)
-40°C
|
自动重启和过压响应
滞后
|
输出配置文件
CC
|
||
数据表
檢視PDF
|
|
|
输出功率(最大)-连续,230V
675 W
|
输出功率(最大)-峰值,230V
750 w
|
集成电路方案
eSIP-16D
|
电压-输入(Min)
180 V
|
电压-输入(最大)
264 V
|
拓扑结构
提高PFC
|
保护功能
输出欠压、过温、输入过压、输入欠压、输出过压、输出短路、输出过载
|
击穿电压
530 V
|
电压-启动
1.57 v
|
电压-电源(Vcc/Vdd)
12 v
|
超高温反应
滞后
|
越来越多的类型
通孔
|
产品类型
集成电路
|
温度-工作(最高)
150°C
|
温度-工作(最小)
-40°C
|
自动重启和过压响应
滞后
|
输出配置文件
CC
|
||
数据表
檢視PDF
|
|
|
输出功率(最大)-连续,230V
810 W
|
输出功率(最大)-峰值,230V
900 w
|
集成电路方案
eSIP-16D
|
电压-输入(Min)
180 V
|
电压-输入(最大)
264 V
|
拓扑结构
提高PFC
|
保护功能
输出欠压、过温、输入过压、输入欠压、输出过压、输出短路、输出过载
|
击穿电压
530 V
|
电压-启动
1.57 v
|
电压-电源(Vcc/Vdd)
12 v
|
超高温反应
滞后
|
越来越多的类型
通孔
|
产品类型
集成电路
|
温度-工作(最高)
150°C
|
温度-工作(最小)
-40°C
|
自动重启和过压响应
滞后
|
输出配置文件
CC
|
||
数据表
檢視PDF
|
|
|
输出功率(最大)-连续,230V
900 W
|
输出功率(最大)-峰值,230V
1000 w
|
集成电路方案
eSIP-16D
|
电压-输入(Min)
180 V
|
电压-输入(最大)
264 V
|
拓扑结构
提高PFC
|
保护功能
输出欠压、过温、输入过压、输入欠压、输出过压、输出短路、输出过载
|
击穿电压
530 V
|
电压-启动
1.57 v
|
电压-电源(Vcc/Vdd)
12 v
|
超高温反应
滞后
|
越来越多的类型
通孔
|
产品类型
集成电路
|
温度-工作(最高)
150°C
|
温度-工作(最小)
-40°C
|
自动重启和过压响应
滞后
|
输出配置文件
CC
|
HiperPFS™3裝置系列將連續導通模式(CCM)升壓式功率因數修正(PFC)控制器,閘極驅動器,超低逆向回復二極體和高壓功率MOSFET整合到薄型散熱封裝內。HiperPFS-3系列具有數位增強器,可在 20% 負載條件下將高線間功率因數 (PF) 提高到 0.92 以上,還具有高效的「輕負載」操作模式,可實現低於 60 mW 的無負載功耗。
HiperPFS-3系列的可變頻率連續導通模式操作可保持低平均切換頻率,並調變頻率以抑制峰值EMI,藉此將損失降至最低。採用HiperPFS-3的系統通常可將轉換器的X和Y總電容需求以及升壓式電感器和EMI噪音抑制電感器的電感降至最低,進而減少整體系統尺寸和成本。
HiperPFS-3裝置所需的外部元件數目最少,藉此節省電路板空間,並減少與感測電阻器相關的系統BOM成本和功率損失。