INN3166C-H109

InnoSwitch3系列IC可极大简化低压大电流电源的开发和制造,尤其是那些采用紧凑外壳或需要满足高效率要求的电源。InnoSwitch的架构极具革新性，因为该器件同时将初级和次级控制器以及检测元件和符合安全标准的反馈机制集成到了单个IC中。

由于元件参数一致性更好并且创新地采用了集成通讯链路FluxLink,因此能够对次级侧同步整流MOSFET进行精确控制以及对初级侧集成高压MOSFET进行准谐振开关,从而在整个负载范围内维持高效率。

产品特色

高度集成，外形紧凑

• 高达94%整个负载范围内的效率
• 集成了多模式准谐振(QR) / CCM反激式控制器,650 V MOSFET,次级侧检测和同步整流驱动器
• 反馈方式采用内部集成的FluxLink技术，且满足HIPOT(高压绝缘)要求
• 优异的cv / cc精度，不受变压器设计或外围元件的影响
• 采用外部电流检测电阻，可设定精确的恒流输出

EcoSmart -高效节能

• 在230 VAC下空载功耗< 15 mW(包括输入采样功耗)
• 轻松满足全球所有能效标准
• 低散热

先进的保护/安全特性

• 650 v功率mosfet
• 初级及次级检测的输出过压保护
• 次级fet /二极管短路保护
• Sr fet栅极驱动开路检测
• 快速的输入欠压/过压保护

更多可选特性

• 多项输出线电压降补偿设置
• 可变的输出恒流特性
• 自动重启动或锁存故障响应输出过压/欠压保护
• 多个欠压保护故障阈值
• 锁存或迟滞初级侧过温保护

完全符合各项安规要求

• 加强绝缘
• 绝缘强度>4000 vac
• 产品100%进行hipot合规性测试
• 通过ul1577隔离电压(最高4000 vac)和tuv (en62368-1)， cqc (gb4943.1)， din vde v 0884-11安全认证
• 可使设计达到整套EN61000-4测试标准的一个级性能要求,包括EN61000-4-2, 4 - 3 (30 V / m), 4 - 4、4 - 5、4 - 6、4 - 8 (100 / m)及4 - 9日(1000 /米)