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拓扑结构
PFC
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功率级
240 W
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描述
内部集成750vPowiGaN开关的先进的功率因数校正(pfc)控制器ic,可在整个载范围内实现高功率因数(pf)和高效率。
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拓扑结构
反激式,非孤立反激式
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功率级
21 W
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描述
内部集成725v初级mosfet,同步整流,次级侧控制的高效率离线反激式恒压/恒流准谐振开关ic
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拓扑结构
回扫
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功率级
220 W
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拓扑结构
反激式,次级侧-通量链接调节
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功率级
220 W
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描述
集成750V PowiGaN,有源钳位驱动和同步整流,与ClampZero有源钳位ic搭配使用的恒压/恒流离线反激式集成开关ic
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拓扑结构
副侧-光电调节,非隔离反激,降压/升压/降压-升压
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功率级
18 W
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描述
具有一流轻载效率和无损耗ac过零点检测功能的高效离线式开关ic
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拓扑结构
反激式,次级侧-通量链接调节
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功率级
100 W
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描述
集成了高压初级侧开关,同步整流,FluxLink反馈的离线反激式恒压/恒流准谐振开关电源IC
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拓扑结构
PFC
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功率级
610 W
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描述
采用集成600 v mosfet的pfc控制器可在整个负载范围内提供高功率因数,具有高效率
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拓扑结构
二次侧-光电调节,非隔离反激
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功率级
5 W
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描述
集成了系统级保护的高能效,低功率,离线式开关电源ic
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拓扑结构
非隔离反激式,降压/升压/降压-升压
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功率级
360毫安
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描述
集成了系统级保护的高能效725 V / 900 V MOSFET离线式开关电源IC可实现低元件数的电源设计
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拓扑结构
PFC
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功率级
1000 W
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描述
采用集成高压MOSFET和Qspeed二极管的PFC控制器可在整个负载范围内提供高功率因数及高效率
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拓扑结构
任何
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功率级
N/A
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拓扑结构
主侧调节
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功率级
10 W
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描述
适用于适配器和充电器的高能效,精确初级侧调节的恒压/恒流开关ic
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拓扑结构
2开关向前
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功率级
586 W
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描述
将双开关正向主电源转换器及反激式待机电源转换器与高压功率mosfet集成
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拓扑结构
二次侧-光电调节
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功率级
N/A
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拓扑结构
主侧调节
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功率级
153 W
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描述
采用精确初级侧稳压(psr)的高能效,高功率离线式开关ic
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拓扑结构
任何
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功率级
N/A
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描述
快速硅二极管,具有一流的emi性能
- VRRM- 150v, 200v, 300v, 600v
- 我F (AVG)- 3a - 40a
- 问RR- 5 nC - 61 nC
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拓扑结构
任何
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功率级
N/A
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描述
快速硅二极管,在emi性能与开关速度之间实现平衡
- VRRM- 600v
- 我F (AVG)- 3个a - 20个a
- 问RR—21nc—51nc
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拓扑结构
任何
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功率级
N/A
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描述
超快速硅二极管
- VRRM- 600v
- 我F (AVG)- 3个a - 12个a
- 问RR—5.9常控—8.9常控
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拓扑结构
二次侧-光电调节
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功率级
244 W
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描述
集成了电源控制器和725 V MOSFET,可实现超低待机功耗
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拓扑结构
主侧调节
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功率级
12 W
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描述
LinkSwitch-CV通过省去光耦器和次级控制电路,可以大大简化低功率电源的设计。
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拓扑结构
二次侧-光电调节
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功率级
100 W
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描述
满足16-75 vdc电压输入且功率高达100 w的dc-dc解决方案
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