SID11x1K
高達8 a的單通道igbt / mosfet閘極驅動器,可提供高達650 v閉鎖電壓的增強型電流絕緣
應用
高達8 a的單通道igbt / mosfet閘極驅動器,可提供高達650 v閉鎖電壓的增強型電流絕緣
SID11x1K是採用eSOP封裝的單通道IGBT和MOSFET驅動器。增強型電流絕緣基於功率集成創新的固態絕緣體FluxLink技術。8A的峰值輸出驅動電流可讓產品驅動高達 600 A (典型值) 的裝置,而無需任何其他的主動式元件。如果閘極驅動要求超過 SID11x1K 的自身能力,可新增一個外部放大器 (升壓器)。同時,使用一個單極隔離式電壓源提供穩定的正電壓和負電壓以供實現閘極控制。
採用進階緩關機(ASSD)的短路保護(DESAT),一次側和二次側欠壓鎖閉(UVLO)以及具有溫度和流程補償輸出阻抗的軌對軌輸出等其他功能,可保證在嚴苛條件下也能安全運作。
控制器(PWM和故障)訊號與5 V CMOS邏輯相容,也可以使用外部分壓電阻器將此值調整為15 V等級。