SID1102K
最大1200 VのIGBTとMOSFETに対して,強化絶縁を提供する最5大のシングルチャンネルIGBT、MOSFETゲートドライバ
アプリケ，ション
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製品
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デ，タシ，ト
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Igbt電圧クラス
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ゲ、トピ、ク電流(最大)
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最大スepッチング周波数(kHz)
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サポトされているモジュルタプ
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ロジック入力電圧
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保護機能
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技術
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サポ，トされているトポロジ
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供給電圧 (標準)
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隔離タ@ @プ
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分離技術
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時間 - 出力低下
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時間-出力の上昇
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ドラ▪▪ブモ▪▪ド
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メ▪▪ン/周辺
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並列サポト?
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数据表
PDFを表示
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IGBT电压等级
1200 V
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栅极峰值电流(最大)
+ 5
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最大开关频率
75.0千赫
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支持的模块类型
IGBT, n通道MOSFET
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逻辑输入电压
5
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保护功能
基本主动夹紧，Adv软关机，动态Adv主动夹紧，短路，UVLO(秒侧)，UVLO(pri侧)
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技术
SCALE-iDriver
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接口类型
电
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支持拓扑bob电竞体育平台app
2级电压源，3级np -箝位- 1型，3级np -箝位- 2型，多级np -箝位
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供电电压(类型)
5伏
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隔离型
钢筋
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隔离技术
Fluxlink
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时间-产量下降
14 ns
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时间-产量上升
29 ns
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驱动方式
Direct-Independent
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主要/外围
N/A
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并联支持吗?
没有
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製品詳細
SID1102Kは、eSOPワイドパッケージのシングルチャンネルIGBT及びMOSFETのゲートドライバです。強化絶縁は、电力集成の革新的な固体絶縁FluxLink™技術によって実現されます。5最大のピーク出力ドライブ電流により,この製品は最大300の定格電流でデバイスを駆動できます。ブースター回路は,5を超えるゲートドライバの要件下で使用でき,AUXGL及びAUXGHの出力ピンは,最大60で外部NチャンネルMOSFETを駆動します。
コントローラ(PWM)信号は5 VのCMOSロジックと互換性があり,外部の抵抗分割回路を使用すると15 Vレベルに調整することもできます。二次側の電圧管理により,+ 15から-10 Vのバイポーラゲートドライブ電圧が提供されますが,+ 25 Vの単一電圧のみ必要となります。+15 Vゲトドラブ電圧は，チップの内蔵Vee電圧レギュレタにより制御されます。低電圧ログアウトによりゲート信号がオフになり、IGBT または MOSFET の安全な操作を持続できます。
- 最大1200 V及びIGBT電流(50から最大3600)でIGBTモジュールを駆動するために幅広く柔軟に使用できるIGBTゲートドライバ
- ブスタを必要とせず最大5aのピクゲトドラブ電流を提供するシングルチャンネル
- 最大60まで高められたピークドライブ電流の外部ハイ及びローサイドNチャンネルブースター回路に対する補助出力
- 低電圧ログアウト
- 一次側と二次側の間に安全な絶縁を提供する内蔵FluxLink技術
- レルルの安定出力電圧
- 二次側に対して単一電圧動作
- 600v / 650v / 1200vのigbtス苹果树苹果树ッチ及びmosfetス苹果树苹果树ッチに最適
- 最大75 kHzのス显卡ッチング周波数
- ±5 nsの伝搬ディレ，ジッタ，
- -40℃~ 125℃の動作周囲温度
- 優れたコモンモ，ド過渡耐性
- 9.5 mmの沿面距離と空間距離に対応したeSOPパッケ，ジ
