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SID1102K

最多5个通道IGBT/MOSFET栅极驱动器可提供高达1200 V IGBT和MOSFET的加强隔离

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IGBT电压类
门峰值电流(最大)
最大开关频率
支持的模块类型
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接口类型
支持的拓扑bob电竞体育平台app
电源电压(典型)
隔离类型
隔离技术
时间 - 输出下降
时间 - 输出上升
驾驶模式
主/外围
并行支持?
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IGBT电压类 1200 v
门峰值电流(最大) +5 a
最大开关频率 75.0 kHz
支持的模块类型 IGBT,N通道MOSFET
逻辑输入电压 5
保护功能 基本的主动夹具,ADV软关闭,动态ADV主动夹紧,短路,UVLO(SEC侧),UVLO(PRI侧)
技术 比例尺
接口类型 电气
支持的拓扑bob电竞体育平台app 2级电压源,3级NP钳位 - 1型,3级NP钳 - 2型2,多级NP挡板
电源电压(典型) 5 v
隔离类型 加强
隔离技术 FluxLink
时间 - 输出下降 14 ns
时间 - 输出上升 29 ns
驾驶模式 直接独立
主/外围 N/A。
并行支持?

产品详情

SID1102K是一个单渠道IGBT,MOSFET闸门驱动器中的Esop Wide Poxpains。Power Integrations的创新固体绝缘体FluxLink™技术提供了增强电流隔离。最多5个峰值输出驱动器电流使该产品能够驱动标称电流的设备高达300A。加强阶段可用于超过5 a,auxgl和auxgh输出引脚驱动器外部N通道MOSFET的GATE驱动器需求,最高60一个。

控制器(PWM)信号与5 V CMOS逻辑兼容,该逻辑也可以通过使用外部电阻分隔器调整为15 V级别。次级侧电压管理可提供双极栅极驱动器电压从+15到-10 V,而仅需要+25 V单极电压。+15 V门驱动电压由芯片内部VEE电压调节器调节。欠压登录出来的栅极信号,并将IGBT或MOSFET保持在安全操作中。

  • IGBT门驱动器具有广泛的灵活用途,可驱动高达1200 V和IGBT电流50 A最高3600 A的IGBT模块。
  • 单个通道可提供高达5个没有助推器的峰值驱动器电流
  • 外部高和低速N通道助推阶段的辅助输出,以增加高峰驱动电流高达60a
  • 欠压登录
  • 集成的通量链接技术可在初级和次要方面提供安全的隔离
  • 轨道轨道稳定输出电压
  • 次级侧电压电压
  • 适用于600 V / 650 V / 1200 V IGBT和MOSFET开关
  • 最多75 kHz开关频率
  • 传播延迟抖动±5 ns
  • -40°C至125°C工作环境温度
  • 高公共模式瞬态免疫
  • ESOP包装,带9.5毫米蠕变和间隙

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