Scale-2드라이버코어
Power integrics的栅极驱动核心提供了高度灵活的解决方案,包括所有常用的驱动功能,包括电隔离、保护、DC/DC转换器等。igbt的驱动内核具有600V至6500V的阻塞电压能力,以及每个通道1W至20W的阻塞电压能力。它们也适用于驱动功率mosfet和基于新材料(SiC)的器件,工作频率高达500 kHz。
Power integrics的栅极驱动核心提供了高度灵活的解决方案,包括所有常用的驱动功能,包括电隔离、保护、DC/DC转换器等。igbt的驱动内核具有600V至6500V的阻塞电压能力,以及每个通道1W至20W的阻塞电压能力。它们也适用于驱动功率mosfet和基于新材料(SiC)的器件,工作频率高达500 kHz。
제품
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설명
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최대항복전압
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전원스위치
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描述 单通道SCALE-2驱动核心1SC0450V和1SC0450E,最高集成度,灵活的4.5 kV和6.5 kV栅极驱动器,集成DC/DC变换器和光纤链路 |
最大击穿电压4500v, 6500v | 电源开关IGBT |
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描述 单通道SCALE-2驱动核心与Planar变压器,60 A栅极电流驱动大型IGBT模块并联,20 W输出功率可用于高达500 kHz的高频应用BOB体育平台下载 |
最大击穿电压1700 V | 电源开关IGBT, SiC MOSFET |
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描述 双通道SCALE-2+驱动核心,37 ~ 110 kVA逆变器最高集成度设计,集成短路软关机功能 |
最大击穿电压1200 V | 电源开关IGBT |
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描述 双通道SCALE-2+驱动核心,最高集成度超紧凑,高品质8A栅极电流,2 × 1w输出功率 |
最大击穿电压1700 V | 电源开关IGBT |
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描述 最小的IGBT栅极驱动器,适用于90kw - 500kw逆变器,SCALE-2+技术,适用于1200v IGBT驱动器的原电解决方案,高级主动夹持或SSD |
最大击穿电压1200 V | 电源开关IGBT, SiC MOSFET |
2 sc0435t
双通道SCALE-2+驱动核心采用新型2SC0435T2F1-17、2SC0435T2G1-17、2SC0435T2H0-17,最高集成度,超紧凑,高品质35a栅极电流,2 × 4w输出功率 |
描述 双通道SCALE-2+驱动核心采用新型2SC0435T2F1-17、2SC0435T2G1-17、2SC0435T2H0-17,最高集成度,超紧凑,高品质35a栅极电流,2 × 4w输出功率 |
最大击穿电压1700 V | 电源开关IGBT, SiC MOSFET |
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描述 用于3.3 kV igbt的双通道SCALE-2驱动芯,集成度高,结构紧凑,高电压,大功率,栅极电流35a,输出功率2 × 5w |
最大击穿电压3300 V | 电源开关IGBT, SiC MOSFET |
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描述 双通道SCALE-2驱动磁芯,采用Planar变压器,集成度最高,大功率高频功率密度最高,栅电流50a,输出功率2 × 6w |
最大击穿电压1700 V | 电源开关IGBT, SiC MOSFET |
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描述 双通道SCALE-2驱动核心,最高集成度,Infineon™2ED300C17-S的第二源,30 A门电流和2 x 4 W驱动功率 |
最大击穿电压1700 V | 电源开关IGBT |