ソリュションファンダ 技術サポ,ト

SID1181K

最大650 Vのブロック電圧で強化絶縁を提供する最8大のシングルチャンネルIGBT、MOSFETゲートドライバ

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製品詳細

SID11x1Kは、eSOPパッケージに組み込まれたシングルチャンネルIGBT及びMOSFETドライバです。強化絶縁は、电力集成の革新的で堅牢な絶縁技術であるFluxLinkによって実現されます。8 Aのピーク出力ドライブ電流により,アクティブ部品を追加せずに最大600(標準)までのデバイスを駆動できます。SID11x1K単独で駆動できるドライブ容量を超える場合は,外部アンプ(ブースター)を追加することもできます。ゲ,ト制御のための安定した正負の電圧は,絶縁された単一電圧によって供給されます。

アドバンストソフトシャットダウン(ASSD)を含む短絡保護(DESAT),一次側及び二次側のための低電圧ロックアウト(UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により,過酷な状況においても安全な動作が保証されます。

コントローラ(PWMと異常)信号は5 V CMOSロジックに対応し,外部の抵抗分割回路を使用すると15 Vレベルに調整することもできます。

仕様

仕様
最大スepッチング周波数(kHz) 75.00千赫
Igbt電圧クラス 1200 V
技術 SCALE-iDriver
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チャネル数 1
ゲ、トピ、ク電流(最大) + 8
製品タ@ @プ 集成电路
产品子类型 驱动晶片
サポトされているモジュルタプ
IGBT
n沟道MOSFET
メ▪▪ン/周辺 N/A
サポ,トされているトポロジ
2级电压源
3级NP-Clamped -类型1
3级NP-Clamped -类型2
多层次NP-Clamped
保護機能
基本主动夹紧
自动软关机
动态Adv主动夹紧
短路
UVLO (Sec-side)
UVLO (Pri-side)
ドラ▪▪ブモ▪▪ド Direct-Independent
ロジック入力電圧 5
供給電圧 (標準) 5.00 V
時間-出力の上昇 22.00 ns
時間 - 出力低下 18.00 ns
分離技術 Fluxlink
隔離タ@ @プ 基本
ゲ、トピ、ク電流(最小) 8