Scale-2ドラescバコア
功率集成のゲートドライバコアは,ガルバニック絶縁,各種保護機能,DC / DCコンバータといった,一般に必要とされるすべてのドライバ機能を搭載することによって,極めて柔軟性の高いソリューションを実現します。IGBT用のドライバコアは,チャネルあたり600 v ~ 6500 v及び1 w ~ 20 wのブロッキング電圧機能で使用することができます。
功率集成のゲートドライバコアは,ガルバニック絶縁,各種保護機能,DC / DCコンバータといった,一般に必要とされるすべてのドライバ機能を搭載することによって,極めて柔軟性の高いソリューションを実現します。IGBT用のドライバコアは,チャネルあたり600 v ~ 6500 v及び1 w ~ 20 wのブロッキング電圧機能で使用することができます。
製品
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概要
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最大絶縁破壊電圧
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电源开关
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描述 シングルチャンネルscale™-2ドラバコア1sc0450v / e |
最大击穿电压4500v, 6500v | 电源开关IGBT |
1 sc2060p
プレーナートランスが付属しているシングルチャンネルSCALE-2ドライバコア,大型のIGBTモジュールを並列で駆動するための60のゲート電流,最大500 kHzの高周波用途向けの20 Wの出力電力 |
描述 プレーナートランスが付属しているシングルチャンネルSCALE-2ドライバコア,大型のIGBTモジュールを並列で駆動するための60のゲート電流,最大500 kHzの高周波用途向けの20 Wの出力電力 |
最大击穿电压1700 V | 电源开关IGBT, SiC MOSFET |
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描述 デュアルチャンネルSCALE-2ドライバコア,最高レベルの集積度,10 ~ 75 kVAのインバータ設計用,安全規格認証済み |
最大击穿电压1200 V | 电源开关IGBT |
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描述 デュアルチャンネルSCALE-2 +ドライバコア,最高レベルの集積,超小型,高品質,8 Aのゲート電流及び2 x 1 Wの出力電力 |
最大击穿电压1700 V | 电源开关IGBT |
2 sc0115t
90 kW ~ 500千瓦インバータ向け最小IGBTゲートドライバ,SCALE-2 +技術,1200 V IGBTドライバのガルバニックソリューション,高度なアクティブクランプまたはSSDを搭載 |
描述 90 kW ~ 500千瓦インバータ向け最小IGBTゲートドライバ,SCALE-2 +技術,1200 V IGBTドライバのガルバニックソリューション,高度なアクティブクランプまたはSSDを搭載 |
最大击穿电压1200 V | 电源开关IGBT, SiC MOSFET |
2 sc0435t
デュアルチャンネルSCALE-2 +ドライバコア,新しい2 sc0435t2f1-17 2 sc0435t2g1-17 2 sc0435t2h0-17高い統合レベル,超小型,高品質35一个ゲート電流,及び2 x 4 W出力電力 |
描述 デュアルチャンネルSCALE-2 +ドライバコア,新しい2 sc0435t2f1-17 2 sc0435t2g1-17 2 sc0435t2h0-17高い統合レベル,超小型,高品質35一个ゲート電流,及び2 x 4 W出力電力 |
最大击穿电压1700 V | 电源开关IGBT, SiC MOSFET |
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描述 3.3 kV IGBT用デュアルチャンネルSCALE-2ドライバコア,最高レベルの集積,小型,高電圧、高出力,35个のゲート電流及び2 x 5 Wの出力電力 |
最大击穿电压3300 V | 电源开关IGBT, SiC MOSFET |
2 sc0650p
プレーナートランスが付属しているデュアルチャンネルSCALE-2ドライバコア,最高レベルの集積度,高電力及び高周波数向けの最高電力密度,50のゲート電流及び2 x 6 Wの出力電力 |
描述 プレーナートランスが付属しているデュアルチャンネルSCALE-2ドライバコア,最高レベルの集積度,高電力及び高周波数向けの最高電力密度,50のゲート電流及び2 x 6 Wの出力電力 |
最大击穿电压1700 V | 电源开关IGBT, SiC MOSFET |
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描述 デュアルチャンネルSCALE-2ドライバコアEiceMELTER,最高レベルの集積英飞凌2 ed300c17-sの第二次ソース,30のゲート電流及び2 x 4 Wのドライブ電力 |
最大击穿电压1700 V | 电源开关IGBT |