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sic mosfet电源电源駆动駆动

幅広い刻度ゲートゲート制品によりによりによりによりによりによりによりによりを

図1.SICMOSFETのの特长

(sic)mosfetはは电力アプリケーションスイッチング性能をしし,,高い高いブレークブレークダウン电界强度とキャリアキャリアドリフト速度速度速度を実现実现実现しつつつつ放热放热放热性を向上向上向上さsicアーキテクチャ必要ため必要必要とゲートドライバにとってさまざまさまざまなななななアーキテクチャアーキテクチャアーキテクチャアーキテクチャアーキテクチャにおける电圧电圧电圧电圧ののののの相违相违相违をサポートサポートするするするする必要必要がががあるあるあるあるある

比例尺sic-mosfetゲートゲート

piのsic1182k scale-idriver ic ic ic ic ic icブーストステージ必要せず,最高最高ののピークピークピーク出力出力ゲート电流电流をを提供提供提供提供するするする高效率高效率高效率のののののののののののののののののののゲートドライブをするよう构成できます。

比例2,秤-2+ゲートドライバ及び及び及び及び及び及びゲートゲートゲート

比例-2 s safle-2+ 2+ゲート,,,,,,ドライバドライバドライバドライバははののののののやややややなどなどなどなどののベースベースベースベースのパワーパワーデバイスデバイスデバイスデバイスののの

piのゲート制品

  • SIC1182K-Sic Moseftゲートドライバ
  • 比例尺- ゲートドライバ
  • 2SC0115T-12-scale-2+ドライバドライバ
  • 2SC0435T-17-scale-2+ドライバドライバ
  • 1SC2060P-17- プレーナートランス付属するするするするするドライバドライバコアコア
  • 2SC0650P-17- プレーナートランス付属するするするするするドライバドライバコアコア
  • 2SC0535T-17-scale-2ドライバドライバコア
  • 2SC0635T-45-scale-2ドライバドライバコア

sic固有固有固有课题课题

sic mosfetはサプライヤ世代により,それぞれターンターンオンオンオフ电圧レベルレベルにに关する关する固有固有固有固有ののののののの课题课题がががありありありありますますますますますますますますますます。。。。。。。。。。デバイスデバイスデバイスデバイスデバイスデバイスデバイスデバイスデバイスははは15v/-10 v/-10 v/-10 v/-10 vでででででがありまたゲートソースのの领域で动作にターンターンオンオン电圧电圧のの制御を必要必要とするするデバイスがある一方,,,,

s缩尺度ゲート合わせゲートをを调整ににゲート,オンオンオンターンターンオフオフオフののの正负正负正负正负の电圧电圧レベルレベルをを制御パーティパーティパーティパーティAN-1601のノートを参照しください。

図2。さまざまさまざまなsic mosfetのv vGS要件を満たす调整机能有する有する有する有する有する有する有する有する


2SC0115T2SC0435T

図3.Vex/veeピンピン使用したななななゲートゲートドライバピン接続接続接続

比例ゲートゲートドライバでででををを理由理由理由

  • 外部vee回路による调整可能な电圧电圧
  • 2μs以下の时间时间
  • 高出力电流供给能力
  • 高绝縁能力
  • dv/dtフィードバック搭载アドバンストクランプ机能
  • 500 kHzのの高数数
  • 4.5 kVのsic mosfetブレークブレーク电圧対応対応対応
  • MTBF/低fitrate
  • mosfetモジュールモジュール化化
  • sic mosfet设计设计に适合适合
図4. SIC MOSFET短络短络検出设定设定设定

SIC1182Kの包括な机能机能

  • sicアドバンストアクティブ
  • 超高速短络监视机能
  • 过电流异常オフ
  • 一次及び次电圧ロックアウト(UVLO)
図5.SIC1182Kのの机能机能