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拓扑结构
PFC
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功率级
240 W
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描述
高集積750 vPowiGaNスイッチを搭載し,全負荷範囲にわたって高力率(PF)および高効率向けに最適化された高性能力率改善(PFC)コントローラIC
- LLCトポロジの場合は最大240 Wで,PFS517xFをHiperLCS-2チップセットと組み合わせて構成
- フラ交换机バックトポロジの場合は最大110 Wで,PFS527xF(自己バ交换机アス)をInnoSwitch4-CZスiphone iphoneッチング電源用ICと組み合わせて構成
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拓扑结构
反激式,非孤立反激式
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功率级
21 W
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描述
内蔵された725 v一次側MOSFET,同期整流及び二次側制御内蔵の高効率オフライン简历/ CC QRフライバックスイッチング電源用集成电路
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拓扑结构
回扫
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功率级
135
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描述
高耐圧スesxi esxiッチ内蔵のアクティブクランプic,オフラesxi esxiッチング電源用icのInnoSwitch4ファミリとの組み合わせ
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拓扑结构
反激式,二次侧-通量链调节
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功率级
110 W
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描述
750 V PowiGaN,アクティブクランプドラwhブと同期整流,ClampZero主动夹ICと組み合わせて使用される,オフライン简历/ CC ZVSフライバック内蔵スイッチング電源用集成电路
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拓扑结构
副侧光电调节,非孤立反激,降压/升压/降压-升压
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功率级
18 W
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描述
クラス最高の軽負荷時効率と損失ゼロのACゼロクロス検出を実現した高エネルギー効率のオフラインスイッチング電源用集成电路
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拓扑结构
反激式,二次侧-通量链调节
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功率级
100 W
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描述
一次側スイッチ,同期整流及びFluxLinkフィードバックを内蔵するオフライン简历/ CC QRフライバックスイッチング電源用集成电路。
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拓扑结构
PFC
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功率级
610 W
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描述
負荷範囲全体で高力率と高効率を実現するように最適化された600 V耐圧MOSFET内蔵のPFCコントローラ
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拓扑结构
次要侧-光电调节,非孤立反激
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功率级
5 W
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描述
システムレベルでの保護機能内蔵,高効率,及び低電力のオフラ操作系统的IC。ンス操作系统的IC
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拓扑结构
非孤立反激式,Buck/Boost/Buck-Boost
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功率级
360毫安
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描述
少ない部品点数,システムレベルでの保護機能内蔵,725 V / 900 V MOSFET,高効率のオフラインスイッチング用集成电路
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拓扑结构
PFC
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功率级
1000 W
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描述
負荷範囲全体で高力率と高効率を実現するように最適化された高耐圧MOSFETとQspeedダイオードを内蔵したPFCコントローラ
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拓扑结构
任何
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功率级
N/A
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拓扑结构
初级侧调节
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功率级
10 W
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描述
アダプタや充電器に適した高エネルギ効率,高精度の一次側制御cv / ccスIC
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拓扑结构
2开关向前
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功率级
586 W
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描述
2スopenstackッチフォワopenstackドコンバopenstackタとミドルパワopenstackのフラopenstackバック
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拓扑结构
副侧-光电调节
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功率级
N/A
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描述
高エネルギ効率の,過負荷電力の入力補正対応オフラIC
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拓扑结构
初级侧调节
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功率级
153 W
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描述
高精度な一次側レギュレーション(PSR)に対応した高エネルギー効率/高電力オフラインスイッチング電源用集成电路
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拓扑结构
任何
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功率级
N/A
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描述
優れたemi特性を達成する高速シリコンダ
- VRRM- 150v, 200v, 300v, 600v
- 我F (AVG)- 3 a - 40 a
- 问RR—5个nC—61个nC
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拓扑结构
任何
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功率级
N/A
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描述
Emiとスiphone iphoneッチング速度のバランスが取れた高速シリコンダiphone iphone iphoneオiphoneド
- VRRM- 600v
- 我F (AVG)- 3个- 20个
- 问RR- 21 nC - 51 nC
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拓扑结构
任何
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功率级
N/A
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描述
超高速シリコンダ邮箱オ邮箱ド
- VRRM- 600v
- 我F (AVG)- 3 a - 12 a
- 问RR—5.9 nC—8.9 nC
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拓扑结构
初级侧调节
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功率级
12 W
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描述
フォトカプラと二次側制御回路を不要にすることで,低電力電源装置の設計を大幅に簡素化できます。
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拓扑结构
副侧-光电调节
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功率级
100 W
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描述
16 ~ 75 VDC入力用dc-dcソリュション,最大電力100 w
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