产品简介

燃烧是通过电子组件在升高温度下通过电子组件运行电源以检测故障的过程。

共形涂层是应用薄的聚合物膜的过程，该膜“符合”印刷电路板的轮廓以保护板的组件。

1SC0450x2单渠道栅极驱动器核心核心，用于阻断高达4.5 kV和6.5 kV的电压

1SC2060P单渠道比例尺2门驱动器核心，用于阻断高达1700 V的电压

1Sp0340单渠道比例尺2号插件驱动器，用于低压（6 kV）软件包中4.5 kV IGBT模块的插件驱动器

2SC0106T双通道量表2+ 1200 V IGBTS的门驱动器核心

2SC0108T超连接双通道尺度2+栅极驱动器核心最多1700 V IGBTS

2SC0115T双通道尺度2+盖门驱动器核心可阻止电压高达1200 V

2SC0435T双通道尺度2+盖门驱动器核心可阻止电压1700 V

2SC0535T双通道尺度2驱动器1.7 kV至3.3 kV IGBT和SIC MOSFET

2SC0650P双通道尺度2驱动器核心核心核心，用于阻断高达1700 V的电压

2SD300C17双通道尺度2+盖门驱动器核心，用于阻断高达1700 V的电压

2SP0115T双通道比例尺2号插件驱动器可堵塞电压最多1700 V

2SP0320 PrimePack™的双通道尺度2插件驱动器和带电气或光纤接口的等效IGBT模块

ISO5125I DC-DC转换器，3.3 kV至6.5 kV scale-2插件驱动器

比例EV（2SP0215F2Q0C）Infineon™EconoDual™双IGBT模块的插件播放驱动器板

1700 V和3300 V高功率双IGBT模块的完整电力增强隔离门驱动器

SIC MOSFET栅极驱动器（600 V - 3300 V），带VEE电路可变的栅极电压（0 V - 25 V，0 V，0 V - 10 V）

SID1102K比例尺单通道5 A IGBT和SIC MOSFET门驱动器

sid11x1k尺度 - 数字单通道IGBT / SIC MOSFET门驱动程序

sid11x2k尺度尺度 - 循环增强孤立的单通道闸门驱动器IC

3.3kv至6.5kv的的的单即插即用型用型门极驱动器驱动器（（（（（（（（（（（（（（（（（（（（（（（（（（（（（（（（（（（（（和和和

适用于4500V压接式igbt/iegt的的即用型门极驱动器驱动器

高度集成门驱动器驱动器，3300V以内的模块模块模块模块

3300V以内以内通道即插即驱动器驱动器驱动器

1700V以内的双即插即用型用型用型用型门极

适用于1700V以内半桥模块的（IMC）

适用于3300V以内功率的即用型门极驱动器

加强绝缘隔离型单门极驱动器驱动器

IGBT/MOSFET门极门极门极门极

（SIC）（SIC））开关的极高高效率效率效率（（（驱动器驱动器驱动器驱动器驱动器驱动器驱动器驱动器驱动器驱动器驱动器驱动器驱动器