驱动SiC MOSFET电源开关

控制SiC MOSFET功率开关与全系列SCALE门驱动器产品

碳化硅(SiC) mosfet极大地提高了大功率逆变器应用的开关性能，提供高击穿电场强度和载流子漂移速度，同时提高了热性能。BOB体育平台下载然而，SiC在更紧凑的设计中需要更快的短路保护，这对需要支持不同SiC架构中不同电压的栅极驱动器提出了独特的挑战。

SCALE-iDriver SiC MOSFET栅极驱动ic

PI的新型SIC1182K SCALE-iDriver IC是一款高效的单通道SiC MOSFET栅极驱动器，可在无需外部升压级的情况下提供最高峰值输出栅极电流。它可以配置为支持不同的栅极驱动电压，与当今SiC mosfet的要求范围相匹配。

SCALE-2, SCALE-2+门驱动核心和SCALE-iDriver门驱动ic

除了驱动传统的硅基功率器件，如igbt和MOSFET, SCALE-2和SCALE-2+门驱动核心，以及SCALE-iDriver门驱动ic，都能够驱动SiC MOSFET功率开关。

可选门驱动器产品

• SIC1182K- SiC MOSEFT门驱动器
• SCALE-iDriver-门驱动IC
• 2 sc0115t-12—SCALE-2+驱动核心
• 2 sc0435t-17—SCALE-2+驱动核心
• 1 sc2060p-17- SCALE-2驱动磁芯与平面变压器
• 2 sc0650p-17- SCALE-2驱动磁芯与平面变压器
• 2 sc0535t-17—SCALE-2驱动核心
• 2 sc0635t-45—SCALE-2驱动核心

SiC为栅极驱动器带来了独特的挑战

来自不同供应商和不同年代的SiC MOSFET开关对栅极开断电压水平有不同的要求。一些设备能够在15v / - 10v下工作，而其他设备，例如，在19v / - 6v下工作。此外，一些器件需要一个调节的开断电压，而另一些则需要一个调节的负关断电压，以确保它们不超过门源安全操作区域。

为了根据不同的要求调整SCALE栅极驱动器，与栅极开断电平相关的正电压轨和负电压轨的电压划分控制(VEE调节器)可以被否决。详情请参阅应用说明AN-1601欲知详情。

图2。SCALE-iDriver通过调整驱动器来匹配V，支持不同的SiC mosfet_GS需求

图3。用VEx / VEE引脚固定不同的SCALE门驱动器

为什么用SCALE门驱动Sic mosfet ?

通过外部VEE电路调节栅极电压 <=2 μs短路响应时间 输出电流能力强 高隔离能力 先进的dv/dt反馈主动夹紧 高开关频率可达500khz 适用于击穿电压高达4.5 kV的SiC MOSFET 高MTBF/低FITrate MOSFET模块的并联 适用于所有SiC MOSFET设计

SIC1182K综合保护特点

SiC高级主动夹紧 超快短路监测 过流故障关断 一次和二次欠压锁定(UVLO)