驱动SiC MOSFET电源开关

控制SiC MOSFET电源开关与全方位的SCALE门驱动器产品

碳化硅(SiC) mosfet显著提高了高功率逆变器应用的开关性能，提供高击穿电场强度和载流子漂移速度，同时提高了热性能。BOB体育平台下载然而，SiC要求在更紧凑的设计中提供更快的短路保护，这对门驱动程序提出了独特的挑战，需要在不同的SiC架构中支持不同的电压。

尺度驱动SiC MOSFET门驱动ic

PI的新型SIC1182K SCALE-iDriver IC是一种高效的单通道SiC MOSFET门驱动，无需外部boost级即可提供最高的峰值输出门电流。它可以配置为支持不同的门控驱动电压，以匹配当今SiC mosfet的要求范围。

SCALE-2, SCALE-2+门驱动核心和scale - Driver门驱动ic

除了驱动传统的硅基功率器件，如igbt和MOSFET, SCALE-2和SCALE-2+门驱动核心，以及SCALE-iDriver门驱动ic，能够驱动SiC MOSFET电源开关。

可用的门驱动产品

• SIC1182K- SiC MOSEFT门驱动器
• SCALE-iDriver-门驱动IC
• 2 sc0115t-12- SCALE-2+驱动核心
• 2 sc0435t-17- SCALE-2+驱动核心
• 1 sc2060p-17- SCALE-2驱动核心与平面变压器
• 2 sc0650p-17- SCALE-2驱动核心与平面变压器
• 2 sc0535t-17- SCALE-2驱动核心
• 2 sc0635t-45- SCALE-2驱动核心

SiC为门驱动程序带来了独特的挑战

来自不同供应商和不同型号的SiC MOSFET开关对栅极打开和关闭电压水平有不同的要求。一些设备能够在15v / - 10v的电压下工作，而另一些设备，例如，在19v / - 6v的电压下工作。此外，一些设备需要调节的打开电压，而另一些则需要调节的负关闭电压，以确保它们不超过门源安全操作区域。

为了根据不同的要求调整SCALE栅驱动程序，可以推翻与栅通断电平相关的正负电压轨的电压分配控制(VEE调节器)。请参考应用程序指出一个- 1601为更多的细节。

图2。SCALE-iDriver支持不同的SiC mosfet通过调整驱动器匹配V_GS需求

图3。用标记的VEx / VEE销钉固定不同的SCALE门驱动器

为什么用比例门驱动驱动Sic mosfet ?

通过外部VEE电路调节门电压 <=2 μs的短路响应时间 高输出电流能力 高隔离能力 先进的dv/dt反馈主动夹紧 开关频率高，可达500khz 适用于SiC MOSFET击穿电压高达4.5 kV 高平均无故障时间/低FITrate 并联MOSFET模块 适用于所有SiC MOSFET设计

SIC1182K的综合保护功能

SiC高级主动夹紧 超快的短路监控 过流故障断开 一次和二次欠压锁定(UVLO)