电动汽车需要800v, 800v需要碳化硅
800伏的电动汽车(ev)已经出现，未来还会有更多。800v系统最初出现在保时捷Taycan和奥迪e-Tron GT等豪华电动汽车上，后来成为现代Ioniq5和起亚EV6的主流。通用汽车和Rivian已经宣布未来的电动汽车将为800v做好准备。[1]预计其他国家也会效仿。
800v的使用是一件大事，因为它是今天400v驱动列车的两倍。两倍的电压可以减少一半的充电时间。现代Ioniq5和起亚EV6可以在18分钟内从10%充电到80%。保时捷Taycan可以在22.5分钟内充电5%到80%。在400v电压下处理100kw的充电电缆和连接器可以在800v电压下提供200kw的功率。尽管800v本身并不能显著增加行驶里程，但它将通过实现更快的充电时间来减少里程焦虑。
在给定的功率水平下，两倍的电压还会使电流减少一半，从而减小电缆的尺寸和重量，使电动汽车的重量更轻。对于环保电动汽车来说，更低的电流意味着更少的发热。更高的电压和更小的绕组使牵引电机的设计具有更高的功率密度和更高的效率。[２]
800v电动汽车需要碳化硅电源转换器
与硅功率mosfet和igbt相比，碳化硅(SiC)具有更高的性能。硅的带隙约为1.12电子伏特(eV)，而SiC的带隙为3.26 eV，这导致了SiC器件在高温下的泄漏电流更低。
与硅(0.3 MV/cm)相比，SiC具有更高的击穿临界电场电压(2.8兆伏特/厘米(MV/cm))，显著降低通阻。更高的击穿场使SiC器件比硅器件更薄，减少开关损耗，提高载流能力，实现更快的开关。因此，SiC MOSFET可以像硅MOSFET一样支持高频开关，但具有类似于IGBT的电流和电压额定值，非常适合电动汽车中的功率转换器。
与基于慢开关igbt的设计相比，使用SiC的高频开关产生了更小的功率转换器。
与硅相比，导热性是SiC的另一个亮点。SiC较高的热导率产生较小的结温(Tj)增加对于给定的功率损耗。SiC mosfet也可以处理比硅器件更高的结温。SiC器件可以承受最大结温(Tj (max))的温度高达600˚C，但由于包装方面的考虑，商用设备的温度限制在175 - 200˚C之间。另一方面，硅器件有一个Tj (max)150˚C，增加了冷却的需要，增加了溶液的尺寸。
800v电动汽车需要基于sic的Aux dc - dc
即使牵引电源总线移动到800v，电动汽车中的辅助电源总线预计仍将保持在24 VDC或48 VDC。电动汽车需要高集成度、轻重量和高效技术来实现800V到24V或48V的DC-DC转换器。
辅助电源设计人员可转向高压，AEC q100合格InnoSwitch3-AQ电源集成电路家族。这些集成电路集成了1700 V SiC mosfet和增强隔离。它们减少了高达50%的组件数量，实现了高度紧凑和轻量级的解决方案。
这些电源集成电路在整个负载范围内提供高达90%的效率。它们在空载时消耗不到15兆瓦，减少了电动汽车电池管理系统的自放电，并且工厂、组装和测试场所拥有iatf16949认证的汽车质量管理体系。
参考文献
[1]https://www.greencars.com/post/new-800-volt-fast-charging-systems
