LNK3694G设计，EE13核心
发布:DariusP在10/11/2022
你好,
采用LNK3694G部分带EE13尺寸变压器。总体设计工作，但在操作期间，我观察到高Vds峰值电压(可能是由于漏感?)
有什么建议变压器绕组/布局调整，以减少漏感?bias-sec-pri或pri-bias-sec会显著降低漏感吗?
在现有的设计中，用齐纳二极管取代了RC钳，因此它将Vds电压峰值限制在安全的范围内。
还没有进行深入的EMI测量，但快速PPEAK扫描表明没有问题。还尝试了变压器的偏置-偏置-秒布局，它有较低的漏感，但由于高一次绕组数偏置耦合是弱的，没有光耦输出调节很差。
附PIXI表，用于变压器的初始计算和设计中的实际实施。我已经调整了绕组的位置，以更好的偏置耦合到次要。
也许你对改进设计有其他建议?
文件
| 附件 | 大小 |
|---|---|
| 2022 __xt2 - 900 _230vac_v02 _0.pdf——1 | 1.36 MB |
| 变压器A40b_18-44_0.pdf | 713.94 KB |
降低漏感的标准程序是将次级绕组和偏置绕组夹在分裂的初级绕组的两半之间，如下所示:
1/2初级-偏置-次级- 1/2初级。
这将降低漏感，使主缓冲器更有效。还记得在二次返回和B+或主返回之间包括一个Y1电容(0.5 - 1nf是一个很好的起始值)，以在EMI扫描中效果更好为准。这为通过变压器绕组间电容耦合在一次和二次之间的共模噪声提供了返回路径。